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C60-20S 离子源系统

  • 更新时间:  2024-05-09
  • 产品型号:  C60 20S
  • 简单描述
  • C60-20S 离子源系统虽然所有离子束都会溅射或蚀刻,但左手视频的一些系统的表面是专为高效和快速溅射而设计的。溅射光束有三个特点:高电流、大光斑尺寸和宽视场。这些特性的结合意味着它们可以在大面积上尽快输送大剂量的离子,以优化蚀刻速率。
详细介绍

简介:

C60-20S 离子源系统是一种高性能离子束,设计用于溅射表面,具有较小的损伤和减少的沿周溅射效应。 

C60-20S 离子源系统在高达20 kV的电压下工作,可有效地溅射材料,且损伤较小,无需重新沉积碳。

C60是XPS、AES和SIMS的理想升级组件,可在多种材料上均匀溅射。

       

 

主要参数:



主要应用                溅射                
光斑尺寸                100 µm                
扫描范围                4 x 4 mm                
能耗范围                5 – 20 kV                
电流范围                50 nA                
法兰至机头长度                142 mm                
推荐工作距离                50 mm                
电源装置                3U x 19’’ rack mountable unit    
电源要求                110-240VAC 13A 50/60Hz                
软件要求                        PC running Windows 10 or later                   
集成法兰规格                NW 63 CF                














特点:  

  电流密度高,蚀刻速度更快;

◇  与单原子束相比,可减少化学损伤;

◇  不同材料和晶体取向的溅射率一致;

◇  闸阀,便于快速维修;

◇  源寿命长;



应用领域: 

◇  聚合物的高速、低化学损伤蚀刻;

◇  C60离子溅射的速度比单原子束(包括氩和氙)快50倍,同时 对底层材料造成的损害要小得多;

◇  下图比较了15kev的C60溅射产率与15kev金、氙镓和氩的TRIM数据。在相反的例子中,用C60和单原子氩离子束溅 射清洗PTFE薄膜;

◇  虽然两种离子束都去除了表面污染,但只有C60离子束的表 面化学性质没有发生变化;

         



               


        

   




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